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低コストの 5200nm レーザー結晶三方晶構造 LiNbO3 結晶

Basic Properties
Place of Origin: 中国、武漢
Brand Name: STAR OPTIC
Certification: RoHS, ISO9001
Model Number: LNO
Trading Properties
Minimum Order Quantity: 1個
Price: negotiable
Payment Terms: T/T、ウェスタンユニオン、ペイパル
Supply Ability: 50000個/月
Product Summary
複屈折結晶 LiNbO3 概要: ニオブ酸リチウム (LiNbO3)複屈折結晶としてファイバー通信機器に広く使用されています。優れた機械的および物理的特性を備えており、透明度の範囲が広く、低コストであるため、光学偏光コンポーネントに最適です。これは、アイソレータ、サーキュレータ、ビーム ディスプレーサ、およびその他の偏光光学系などのファイバ通信用途に優れた材料です。 LiNbO3 の一般仕様: 寸法 直径:3-4mm、長さ:1-100mm (他のサイズも利用可能) 寸法公差 Z軸:±0.2mm、X軸:±0.1mm、Y軸:±0.1mm 面取り...

Product Details

ハイライト:

5200nm レーザー結晶、LiNbO3 結晶 5200nm、レーザー結晶 三方晶構造

,

LiNbO3 Crystal 5200nm

,

Laser Crystals Trigonal Crystal Structure

Product Name: 複屈折結晶 LiNbO3
Applications: 繊維通信機器
Advantage: アイソレータ、サーキュレータ、ビームディスプレーサのアイデア素材
Crystal Structure: Trigonal
Mohs Hardness: 5
Damage Threshold: 200MW/cm2
Product Description

複屈折結晶 LiNbO3

概要:

ニオブ酸リチウム (LiNbO3)複屈折結晶としてファイバー通信機器に広く使用されています。優れた機械的および物理的特性を備えており、透明度の範囲が広く、低コストであるため、光学偏光コンポーネントに最適です。これは、アイソレータ、サーキュレータ、ビーム ディスプレーサ、およびその他の偏光光学系などのファイバ通信用途に優れた材料です。

 

 

 

LiNbO3 の一般仕様:

寸法 直径:3-4mm、長さ:1-100mm (他のサイズも利用可能)
寸法公差 Z軸:±0.2mm、X軸:±0.1mm、Y軸:±0.1mm
面取り <0.5×45°
姿勢精度 Z 軸:<+/-5'、X 軸および Y 軸:<+/-10'
並列処理 <20秒角
スクラッチ/ディグ 10/5@MIL-O-13830A
平坦度 λ/8@633nm
波面歪み λ/4@633nm
ARコーティング AR@1064nm R<0.2%

 

 

 

LiNbO3 の物理的および光学的特性:

結晶構造 三角、空間群 R3c
セル パラメータ a = 0.515Å、c = 13.863Å、Z = 6Å
融点 1255±5o
キュリーポイント 1140±5o
モース硬度 5
密度 4.64g/cm3
吸収係数 ~ 0.1%/cm@1064nm
溶解性 Hに不溶2
比誘電率 eT11/e0:85
eT33/e0:29.5
熱膨張係数(@25oハ) ||a、2.0 x 10-6/K
||c、2.2 x 10-6/K
熱伝導率 38 W/m/K @ 25o
透明度範囲 420~5200nm
光学均一性 ~5×10-5/cm
セルマイヤー方程式(λ in um) no2(λ) = 4.9048+0.11768/(λ2- 0.04750) - 0.027169 λ2
ne2(λ) = 4.5820+0.099169/(λ2- 0.04443) - 0.021950 λ2
NLO係数 d33= 34.4 午後/V
d31= 日15= 5.95 午後/V
d22= 3.07 午後/V
電気光学係数 gT33= 32 pm/V、gS33=午後31時/V
gT31= 午後 10 時/V、gS31= 8.6 午後/V
gT22= 6.8 pm/V、gS22= 3.4 午後/V
半波電圧、DC 電界 ||z、光 ^ z 3.03KV
電界 ||x または y、光 ||4.02KV
効率NLO係数 d効果=5.7pm/V または~14.6xd36(KDP) 周波数倍増 1300nm;
d効果=5.3pm/V または~13.6xd36(KDP) 1300nm でポンピングされた OPO の場合。
d効果=17.6pm/V または~45xd36(KDP) 準位相整合構造の場合。
ダメージ閾値 200MW/cm2

 

 

 

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